Contexto:

Hemos estudiado las propiedades estructurales y electrónicas del YxIn1-xN en las concentraciones x = 0, ¼, ½, ¾, y 1 en las estructuras B1, B2, B3 y B4 usando la Teoría del Funcional Densidad (DFT). Los cálculos mostraron que para el Y0.75In0.25N en la estructura B1 el compuesto es energéticamente más favorable. Se determinó que entre 0<𝑥<~0.12 en la supercelda de (1×1×2) la estructura más estable energéticamente es la fase B3. Adicionalmente entre ~0.6<𝑥<~0.12 concentraciones x de Ytrio el compuesto es más favorable energéticamente en la fase B4 y finalmente entre ~0.12<𝑥<1 la fase más estable es la B1. Adicionalmente se halló que no existe transiciones de fase en las cuatro estructuras consideradas. La DOS y la estructura de bandas muestra que Y0.75In0.25N en las fases B1 y B3 presenta un comportamiento semiconductor con un gap de ~0.6 eV and ~0.7 eV, respectivamente mientras que Y0.75In0.25N en la fase B4 tiene un gap indirecto de ~0.8 eV.

Invitada

Gladys Patricia Abdel Rahim Garzón:

Profesora titular de física de la Universidad Distrital Francisco José de Caldas, ha realizado estudios de investigación en nuevos materiales de las propiedades estructurales y electrónicas a partir de métodos ab-initio y estudios en la caracterización de superficies semiconductoras y su modificación con la adsorción de átomos metálicos. Además, ha desarrollado e incorporado material didáctico basado en el uso de las Tecnologías de la Información y la Comunicación (TiC) para la enseñanza de la física.

Licenciada en Física en la Universidad Distrital Francisco José de Caldas, especialista en Ciencias Físicas y máster en Ciencias Físicas en el departamento de física de la Universidad Nacional de Colombia y doctora en Ingeniería de la facultad de ingeniería de la Universidad Nacional de Colombia (tesis meritoria).